Ihre Werkbank für Mikro- und Nanostrukturen

Die Helmholtz Nano Facility (HNF) ist eine state-of -the art Reinraumfacility mit 1200 m2 Reinraum der Klassen ISO 1-3. Die HNF arbeitet angelehnt an DIN EN ISO 14644. Die HNF ist ISO 9001 zertifiziert.

Die HNF ist der Lieferant für Mikro- und Nanostrukturen für alle Fachbereiche das Forschungszentum Jülich, dessen Kooperationspartner, sowie für externe Kunden. Dies erfolgt entweder als Nutzer Facility über Training on the job oder im Service.

Kommissarische Leitung: Dr. J. Moers

Vertretung: Dr. Th. Grap

Schwerpunkte unserer Tätigkeiten

Meldungen und Kurz-Infos

Neue LPCVD

Die HNF startet eine neue LPCVD für die Versorgung mit LS (Low Stress) - und stöchiometrischen Nitriden. Es stehen zwei Ofenrohre für 35 x 4“ Wafer zur Verfügung. Es können Wafer bis 8“ beschichtet werden. Die Erzeugung von low-Stress Nitrid erfolgt bei einem hohen Verhältnis von DCS- zu NH3-Durchflussraten. Die Folge einer solchen siliziumangereicherten Abscheidung ist eine sehr geringe Zugspannung. Die Spannung hängt hauptsächlich vom Gasmischungsverhältnis und der Prozesstemperatur ab. Der Prozessdruck beträgt in der Regel einige Torr oder weniger. Anwendungen sind: MEMS, Diffusionsbarrieren, Passivierungsschichten, Oxidationsmasken, Ätzmasken, Masken für die Ionenimplantation, Kapselung, mechanischer Schutz, Gate Dielektrika, optische Wellenleiter, CMP und Stoppschichten für Ätztechniken.

HNF installiert neuen Laserdirektschreiber

Der Gerätepark der HNF wurde um einen MLA 150 (MLA: maskless aligner), der Firma Heidelberg Instruments erweitert. Bei der sogenannten maskenlosen Lithografie werden Mikrometer kleine Strukturen mit Hilfe eines Lasers auf ein mit Photolack beschichtetes Substrat geschrieben. Die gewünschten Strukturen müssen zuvor lediglich am PC gezeichnet werden. Durch die sehr kurze Zykluszeit von der Designerstellung bis zum fertig belichteten Substrat ist das System optimal für die Prototypenentwicklung geeignet. Der 375nm Laser kann Strukturen bis zu einem Mikrometer auflösen und erreicht eine globale Alignment-Genauigkeit von unter 500 nm. Der Fokus des neuen Systems liegt aber vor allem auf der sehr hohen Schreibgeschwindigkeit. So kann eine 100mm x 100mm große Fläche in ca. 35 Minuten und ein vollständiger 4 Zoll Wafer in unter 25 Minuten belichtet werden. Zudem verfügt die Anlage über ein „Field-Alignment Addon“ was die Alignment Genauigkeit auf Teilbereichen der Probe auf unter 250nm verbessert. Ebenfalls verbaut ist ein sogenanntes „High Aspect Ratio Modul“ welches wahlweise hinzugeschaltet werden kann. Dies verbessert bei dicken Lacken die Steilheit der Lackflanken.

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